- Il existe deux types de transistors bipolaires : PNP et NPN. - Les lettres B (base), C (collecteur) et E (émetteur) sont utilisées pour identifier les pattes du transistor. - La principale caractéristique du transistor est sa capacité d'amplification.
Il existe différents types de transistors, les deux classes principales étant les transistors bipolaires et à effet de champ. Les transistors bipolaires sont souvent abréviés transistors BJT (Bipolar Junction Transistor) alors que les transistors à effet de champ sont abréviés FET (Field-Effect Transistor).
Un transistor NPN est commandé (ou activé) par un courant positif polarisé à la base pour contrôler le flux de courant du collecteur à l'émetteur. Les transistors de type PNP sont commandés par un courant négatif polarisé à la base pour contrôler le flux de l'émetteur au collecteur.
Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse.
Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur deux types de porteurs les trous et les électrons, les transistors unipolaires fonctionnent avec un seul type de charges, les trous ou les électrons. Le transistor à effet de champ à jonction est un premier exemple de transistor unipolaire.
Si le transistor est du type NPN, le courant va passer quand le fil rouge du multimètre est sur la base, et que le fil noir est en contact avec l'émetteur et ensuite le collecteur. Si le transistor est du type PNP, ce sera l'inverse (fil rouge inversé avec le fil noir).
Un peu comme les antiques tubes à vide, les MOSFET sont donc contrôlés avec une tension, par opposition aux transistors bipolaires qui sont contrôlés par un courant traversant leur base. Ils ont donc l'avantage de consommer moins d'énergie et ils peuvent amplifier avec un gain très supérieur.
Dans les deux types de transistors bipolaires, l'électrode traversée par l'ensemble du courant s'appelle l'émetteur.
Un tel test de transistor bipolaire peut être réalisé soit en basculant le multimètre en mode ohmmètre (test de résistance) soit en passant au test de diode, dans le premier cas la limite doit être fixée à 2kOhm.
Composant électronique de très grande importance, le transistor remplit plusieurs fonctions. Il permet notamment le redressement, la modulation ou l'amplification des signaux électriques. On le retrouve généralement à l'intérieur des circuits électroniques, que ce soit en haute ou en basse tension.
Le party and play (PnP) est le terme qui désigne couramment l'utilisation de substances psychoactives lors de relations sexuelles dans le but de réduire ses inhibitions et d'augmenter son plaisir, ses sensations, ses performances et son endurance sexuelle.
Un capteur NPN a un signal qui "devient négatif" lorsqu'il est actif (ON). Le PNP est parfois considéré comme une option plus sûre dans la mesure où un défaut de terre peut amener un capteur NPN à transmettre un faux signal de commutation.
Principes de base des IGBT
La fonction de base d'un IGBT est la commutation la plus rapide possible des courants électriques avec les pertes les plus faibles possibles. Un IGBT est un transistor bipolaire avec une structure de grille isolée ; la grille elle-même est simplement un MOSFET.
Régimes du transistor bipolaire :
Il existe trois régimes (plus un peu courant, le régime inverse), à savoir le régime bloqué, actif et saturé.
Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur.
Transistor bipolaire de puissance Présentation
C'est un composant totalement commandé à la fermeture et à l'ouverture. Il n'est pas réversible en courant, ne laissant passer que des courants de collecteur Ic positifs.
La jonction base collecteur est alors polarisée en direct (VBC = VBE + VEC est voisin de 0,6 V – 0,2V = 0,4 V). On dit que le transistor est saturé. Un transistor fonctionne en régime de commutation quand son courant base est soit très faible (transistor bloqué) soit très intense (transistor saturé).
Pour vérifier par la mesure la saturation d'un transistor, il suffit de mesurer sa tension Vce (ou Vec). Si elle est quasiment égale à 0 (et que bien sûr le montage est alimenté et correctement polarisé), le transistor est saturé. Si elle est égale à la tension d'alimentation, le transistor est bloqué.
Grille (G) : électrode de commande, Source (S) : électrode par laquelle les porteurs majoritaires entrent dans le canal, Drain (D) : électrode par laquelle les porteurs majoritaires quittent le canal.
En fonction de la tension d'alimentation et du transistor on trouve donc typiquement une puissance dissipée de quelques mW à une centaine de mW pour des faibles signaux (dans un ampli audio on parle de la centaine de W soit 1000 fois plus).
Sans LCR-mètre, on peut tester le MOSFET au multimètre. Pour cela, on place le multimètre en mode test de diode et on place COM sur S et VAC sur G. Il ne doit pas y avoir de continuité. Ensuite on laisse COM sur S et VAC sur D, là il doit y avoir une continuité.
Le transistor est bloqué lorsque les jonctions émetteur-base et base-collecteur sont toutes deux polarisées en inverse. Une jonction PN est polarisée en inverse si la région P est négative par rapport à la région N.
Le MOSFET permet de contrôler cette puissance de sortie en variant ses temps d'activation et de désactivation, chose qu'un simple relais ne permet pas de faire. On utilise communément le PWM pour contrôler la vitesse d'un moteur DC ou encore la luminosité de l'éclairage.
Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille. Il trouve ses applications dans les circuits intégrés numériques, en particulier avec la technologie CMOS, ainsi que dans l'électronique de puissance.
L'alimentation Vc sert à polariser les grilles et doit pouvoir fournir le courant nécessaire. Elle doit donc être comprise entre 12 et 20 V. Enfin l'alimentation de puissance Vs sert à alimenter la charge au travers des résistances drain-source des deux transistors MOSFET.