Dans les métaux, le niveau de Fermi se situe dans la
(Électronique) Dans un solide, niveaux d'énergie supérieurs à la bande de valence pouvant être occupés par les électrons et séparés de cette première par la bande interdite.
Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type N est alors : Ainsi plus la densité d'accepteurs est élevée plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande de conduction. A la limite si ND=Nc le niveau de Fermi entre dans la bande de conduction, on dit alors que le semi-conducteur est dégénéré.
Concrètement, le niveau de Fermi est une fonction de la température mais il peut être considéré, en première approximation, comme une constante, laquelle équivaudrait alors au niveau de plus haute énergie occupé par les électrons du système à la température de 0 K .
eV/K. Dans un semi-conducteur intrinsèque, la concentration de porteurs libres est donnée par la relation suivante : n = p = = A. et que la hauteur de la bande interdite vaut 1,12 eV, déterminer la valeur de A.
Une jonction PN est la mise en contact entre un semi-conducteur type N et un semi-conducteur type P issus d'un même cristal. La différence des densités de donneurs et d'accepteurs ND -NA passe « brusquement» d'une valeur négative pour la région P à une valeur positive pour la région N.
Les principaux semi-conducteurs sont le germanium (Ge), le silicium (Si), le sélénium (Se), les composés binaires : arséniure de gallium (GaAs), antimoniure d'indium (InSb), phosphure de gallium (GaP) et phosphure d'indium, ainsi que les composés ternaires et quaternaires.
L'énergie qui sépare la bande de valence de la bande de conduction est appelée le « gap » (fossé, interstice en anglais, bande interdite en français). Les électrons de la bande de valence contribuent à la cohésion locale du solide (entre atomes voisins) et sont dans des états localisés.
Cette région interdite est appelée « gap » et sa largeur Eg est caractéristique du matériau. Notons que l'énergie du bas de la bande de conduction est notée EC et que celle du haut de la bande valence est notée EV ainsi nous avons l'égalité Eg=EC-EV.
Le silicium est le matériau semi-conducteur le plus utilisé, du fait de ses bonnes propriétés et de son abondance naturelle.
Les particules ayant un vecteur d'état complètement symétrique sont les bosons, tandis que celles ayant un vecteur d'état complètement antisymétrique sont les fermions. Cette approche n'est pas limitée au cas de deux particules et peut être généralisée à un nombre quelconque de particules.
Le nombre d'électrons libre dans 1 m3 de métal est égal au nombre d'atomes de cuivre dans le même volume. 8,96.103 63,5.10−3 × 6,022. 1023 = 8,50. 1028 électrons libres.
Cela nous donne une équation qui dit que la densité d'électrons libres ? est égale au courant ? divisé par la charge des électrons ?, l'aire de la section transversale ? du fil et la vitesse moyenne ? des électrons libres.
1) L'énergie du photon est égale au travail de sortie de l'électron . hn = Ws. L'énergie du photon suffit tout juste à expulser l'électron hors du métal. La fréquence du photon est égale à la fréquence de seuil du métal : ns = Ws/h.
Terme utilisé en physique des solides pour désigner la largeur de la bande d'énergie interdite pour les électrons.
En physique des semi-conducteurs, on appelle gap la largeur de la bande interdite, laquelle est l'intervalle d'énergies situé entre l'état de plus basse énergie de la bande de conduction et l'état de plus haute énergie de la bande de valence.
L'unique différence entre un semi-conducteur et un isolant est la largeur de cette bande interdite, largeur qui donne à chacun ses propriétés respectives.
Locution nominale
(Physique) Électron qui est faiblement lié au noyau d'un atome. (Figuré) Personne ou organisation qui affiche son indépendance face aux conventions. (Figuré) (Par extension) Personne énergique, dynamique.
On appelle électrons de conduction certains électrons des couches extérieures susceptibles de se déplacer à travers la matière, sous l'action d'un champ électrique.
On appelle jonction P-N la surface de contact entre deux semi-conducteurs dopés différemment, l'un ayant subi un dopage (positif) de type P (avec du bore ou de l'aluminium), l'autre ayant subi un dopage (négatif) de type N (avec du phosphore ou de l'arsenic), l'ensemble constituant une diode, c'est-à-dire un composant ...
Si la résistance du matériau est faible, le courant peut s'écouler facilement. Dans ce cas, on dit que le matériau est conducteur. Tous les métaux sont des conducteurs. Le cuivre par exemple, conduit particulièrement bien l'électricité.
Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant. Son atout tient au fait qu'il parvient à laisser passer un courant électrique. On dit aussi que la conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants.
Courant de saturation. Courant obtenu dans une chambre d'ionisation lorsqu'un nouvel accroissement de tension ne produit pratiquement plus d'augmentation de courant (d'apr. Radiogr. 1979).
Elle s'appelle aussi zone de déplétion.
Ce déplacement de charges se fait sous l'action d'une force dont l'origine peut être un champ électrique ou un gradient de concentration de porteurs de charges. Dans le premier cas, le courant est appelé courant de conduction, dans le second il est appelé courant de diffusion.